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1C5416

更新时间: 2024-11-29 19:46:15
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SENSITRON 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 38K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, DIE

1C5416 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DIE
包装说明:DIEReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.40
风险等级:5.84应用:FAST RECOVERY
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:X-XUUC-N
元件数量:1相数:1
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:UNSPECIFIED封装形式:UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大反向恢复时间:0.15 µs表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1C5416 数据手册

 浏览型号1C5416的Datasheet PDF文件第2页 
1C5415  
1C5416  
1C5417  
1C5418  
1C5419  
1C5420  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 5067, REV. -  
FAST RECOVERY  
SILICON RECTIFIER DIE  
Maximum Ratings:  
Characteristics  
Symbol  
VRWM  
Condition  
1C5415  
Max.  
50  
Units  
Peak Inverse Voltage  
-
1C5416  
1C5417  
1C5418  
1C5419  
1C5420  
100  
200  
400  
500  
600  
3.0  
V (pk)  
Max. Average Forward Current  
Max. Junction Temperature  
Max. Storage Temperature  
IF(AV)  
TJ  
Tstg  
A dc  
°C  
°C  
@ 55°C  
-
-
-55 to +175  
-55 to +175  
Electrical Characteristics:  
Characteristics  
Symbol  
VF1  
Condition  
Max.  
1.2  
Units  
V dc  
Max. Forward Voltage Drop  
IF=1.5A  
VF2  
IF=9.0A dc, Pulse, TJ = 25 °C,  
Duty cycle 2%, pulse width 300µs  
1.5  
V (pk)  
Max. Reverse Current  
Reverse Recovery Time  
IR1  
IR2  
1.0  
20  
@VR = VRWM, Pulse, TJ = 25 °C  
@VR = VRWM, Pulse, TJ = 100 °C  
1C5415  
1C5416  
If = 500mA, Ir = 1A, 1C5417  
µA dc  
µA dc  
150  
150  
150  
150  
250  
400  
trr  
ns  
Irm = 250mA  
1C5418  
1C5419  
1C5420  
221 West Industry Court Deer Park, NY 11729-4681 (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798 •  
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com •  

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