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1SV324

更新时间： 2024-02-09 16:25:22

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科信 - KEXIN		二极管光电二极管
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描述
Silicon Epitaxial Planar Diode

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1SV324 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.19
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管电容容差：	5.88%	最小二极管电容比：	4
标称二极管电容：	46.75 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	10 V	子类别：	Varactors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1SV324 数据手册

SMD Type

Diodes

Silicon Epitaxial Planar Diode

1SV324

SOD-323

Unit: mm

+0.1

1.7

-0.1

+0.05

0.85

-0.05

Features

+0.1

2.6

-0.1

High Capacitance Ratio:C1V/C4V=4.3(Typ.)

Low Series Resistance:rs=0.4 (Typ.)

Useful for Small Size Tuner

1.0max

0.475

0.375

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Reverse Voltage

Symbol

V^R

Value

Unit

Junction Temperature

T^j

125

Storage Temperature Range

Tstg

-55 to +125

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Reverse Voltage

Symbol

V^R

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

IR = 1

Reverse Current

Capacitance

I^R

VR = 10 V

C^1V

C^4V

C¹/C4V

r^s

f = 1 MHz;VR = 1 V

f = 1 MHz;VR = 4 V

9.2

49.5

Capacitance Ratio

Series Resistance

4.3

0.4

VR = 4V, f = 470 MHz

0.8

Note

1.Signal level when capacitance is measured:Vsig = 500mVrms

Marking

www.kexin.com.cn

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