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15JGQ100

更新时间： 2024-11-01 14:39:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 111K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 35A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

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15JGQ100 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.57其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.95 V
JEDEC-95代码：TO-254AAJESD-30 代码：S-XSFM-P3
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：175 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：35 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：TIN LEAD端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

15JGQ100 数据手册

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PD-97558A  
15JGQ100  
JANS1N7043CAT1  
JANTX1N7043CAT1  
JANTXV1N7043CAT1  
SCHOTTKYRECTIFIER  
HIGH EFFICIENCY SERIES  
35Amp, 100V  
Ref: MIL-PRF-19500/730  
Major Ratings and Characteristics  
Description / Features  
The 1N7043CAT1 center tap Schottky rectifier has  
been expressly designed to meet the rigorous  
requirements of high reliability environments. It is  
packaged in the hermetic isolated TO-254AA  
package. The device's forward voltage drop and  
reverse leakage current are optimized for the lowest  
power loss and the highest circuit efficiency for typical  
high frequency switching power supplies and  
resonent power converters. Full MIL-PRF-19500  
quality conformance testing is available on source  
control drawings to TX, TXV and S quality levels.  
Characteristics  
IF(AV)  
1N7043CAT1 Units  
35  
A
VRRM (Per Leg)  
100  
V
IFSM @ tp = 8.3ms half-sine  
(Per Leg)  
175  
A
V
V @ 15Apk, TJ = 125°C  
0.85  
F
(Per Leg)  
TJ, Tstg Operating and storage -65 to 150  
°C  
• Hermetically Sealed  
• Center Tap  
• Low Forward Voltage Drop  
• High Frequency Operation  
• Guard Ring for Enhanced Ruggedness and Long  
Term Reliability  
• Lightweight  
• ESD Rating: Class 3A per MIL-STD-750, Method 1020  
0.12 [.005]  
13.84 [.545]  
13.59 [.535]  
6.60 [.260]  
6.32 [.249]  
3.78 [.149]  
CASE STYLE  
3.53 [.139]  
1.27 [.050]  
1.02 [.040]  
A
20.32 [.800]  
20.07 [.790]  
17.40 [.685]  
16.89 [.665]  
B
13.84 [.545]  
13.59 [.535]  
1
2
3
14.48 [.570]  
12.95 [.510]  
C
0.84 [.033]  
MAX.  
1.14 [.045]  
0.89 [.035]  
3X  
3.81 [.150]  
3.81 [.150]  
2X  
0.36 [.014]  
B
A
(ISOLATED BASE)  
NOTES:  
1. DIMENSIONING& TOLERANCING PER ASME Y14.5M-1994.  
2. ALL DIME NS IONS ARE S HOWN IN MILLIME T E RS [INCHE S ].  
3. CONTROLLING DIMENSION: INCH.  
4. CONF ORMS T O JE DE C OUT L INE T O-254AA.  
1
2
3
CATHODE COMMON CATHODE  
ANODE  
CaseOutlineandDimensions-TO-254AA  
www.irf.com  
1
10/05/12  
1234

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与15JGQ100相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
15JGQ100SCS INFINEON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 35A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMET
15JGQ100SCSB INFINEON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 35A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMET
15JL-BT-E JST

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 		*高接触压力*即使在剧烈冲击和振动后，外壳锁也能确保良好的连接。安全锁和摩擦锁接头均可用。
15JQ-BT JST

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 		*高接触压力*全覆带座插头*插头可与压着式XH连接器和压着型nr/nrd连接器互换。
15JQ-ST JST

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 		*高接触压力*全覆带座插头*插头可与压着式XH连接器和压着型nr/nrd连接器互换。
15-JX0F12.5-32.768 ILSI

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 		2 Lead Metal Package Crystal, 3 mm x 8 mm, 2 mm x 6 mm, 1 mm x 5 mm
15-JX1F12.5-32.768 ILSI

获取价格

 		2 Lead Metal Package Crystal, 3 mm x 8 mm, 2 mm x 6 mm, 1 mm x 5 mm
15-JX2F12.5-32.768 ILSI

获取价格

 		2 Lead Metal Package Crystal, 3 mm x 8 mm, 2 mm x 6 mm, 1 mm x 5 mm
15-JX3F12.5-32.768 ILSI

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 		2 Lead Metal Package Crystal, 3 mm x 8 mm, 2 mm x 6 mm, 1 mm x 5 mm
15-JX5F12.5-32.768 ILSI

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 		2 Lead Metal Package Crystal, 3 mm x 8 mm, 2 mm x 6 mm, 1 mm x 5 mm

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