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15J4B41

更新时间: 2024-10-31 22:09:07
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东芝 - TOSHIBA 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 121K
描述
RECTIFIER STACK (BRIDGE)

15J4B41 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.76Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 V最大非重复峰值正向电流:250 A
元件数量:1最高工作温度:150 °C
最大输出电流:15 A最大重复峰值反向电压:600 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
Base Number Matches:1

15J4B41 数据手册

  

与15J4B41相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
15J4B42 TOSHIBA

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DIODE 4.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, Bridge Rectifier Diode
15JGQ100 INFINEON

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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 35A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMET
15JGQ100SCS INFINEON

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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 35A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMET
15JGQ100SCSB INFINEON

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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 35A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMET
15JL-BT-E JST

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*高接触压力*即使在剧烈冲击和振动后,外壳锁也能确保良好的连接。安全锁和摩擦锁接头均可用。
15JQ-BT JST

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*高接触压力*全覆带座插头*插头可与压着式XH连接器和压着型nr/nrd连接器互换。
15JQ-ST JST

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*高接触压力*全覆带座插头*插头可与压着式XH连接器和压着型nr/nrd连接器互换。
15-JX0F12.5-32.768 ILSI

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2 Lead Metal Package Crystal, 3 mm x 8 mm, 2 mm x 6 mm, 1 mm x 5 mm
15-JX1F12.5-32.768 ILSI

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2 Lead Metal Package Crystal, 3 mm x 8 mm, 2 mm x 6 mm, 1 mm x 5 mm
15-JX2F12.5-32.768 ILSI

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2 Lead Metal Package Crystal, 3 mm x 8 mm, 2 mm x 6 mm, 1 mm x 5 mm