14KESD60

更新时间： 2024-11-25 22:38:15

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14KESD60 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-41	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
最小击穿电压：	66.7 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	111.2 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-204AL	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值反向功率耗散：	4000 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	60 V
最大反向电流：	1 µA	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
14KESD60A	MICROSEMI	获取价格	AXIAL LEAD
14KESD60AE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 4000W, 60V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
14KESD60ATR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 4000W, 60V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
14KESD60ATRE3	MICROSEMI	获取价格	Transient Suppressor,
14KESD60C	MICROSEMI	获取价格	Transient Suppressor,
14KESD60CAE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 4000W, 60V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
14KESD60CAE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 4000W, 60V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
14KESD60CATR	MICROSEMI	获取价格	暂无描述
14KESD60CATRE3	MICROSEMI	获取价格	Transient Suppressor,
14KESD60CE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 4000W, 60V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2