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10-F107NIB150SG06-M136F39

更新时间： 2023-09-03 20:25:07
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VINCOTECH /
页数 文件大小 规格书
29页 1170K
描述
High speed switching;Low EMI;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage

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10-F107NIB150SG06-M136F39 数据手册

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10-F107NIB150SG06-M136F39  
10-P107NIB150SG06-M136F39Y  
datasheet  
Maximum Ratings  
Tj = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Value  
Unit  
Buck Diode  
Peak repetitive reverse voltage  
VRRM  
IF  
IFSM  
Ptot  
650  
125  
V
A
Continuous (direct) forward current  
Surge (non-repetitive) forward current  
Total power dissipation  
Tj = Tjmax  
Ts = 80 °C  
Tj = 100 °C  
Ts = 80 °C  
tp = 10 ms sine Wave  
Tj = Tjmax  
1280  
241  
A
W
°C  
Maximum junction temperature  
Tjmax  
175  
Boost Switch  
Collector-emitter voltage  
VCES  
IC  
600  
173  
450  
324  
±20  
6
V
A
Collector current  
Tj = Tjmax  
Ts = 80 °C  
Ts = 80 °C  
Tj = 150 °C  
ICRM  
Ptot  
VGES  
tSC  
Repetitive peak collector current  
Total power dissipation  
Gate-emitter voltage  
tp limited by Tjmax  
Tj = Tjmax  
A
W
V
Short circuit ratings  
VGE = 15 V  
Vcc = 360 V  
µs  
°C  
Maximum junction temperature  
Tjmax  
175  
Boost Diode  
Peak repetitive reverse voltage  
VRRM  
IF  
IFRM  
Ptot  
650  
120  
200  
203  
175  
V
A
Continuous (direct) forward current  
Repetitive peak forward current  
Total power dissipation  
Tj = Tjmax  
Ts = 80 °C  
Ts = 80 °C  
A
Tj = Tjmax  
W
°C  
Maximum junction temperature  
Tjmax  
Boost Sw.Inv.Diode  
Peak repetitive reverse voltage  
VRRM  
IF  
IFRM  
Ptot  
600  
124  
200  
204  
175  
V
A
Continuous (direct) forward current  
Repetitive peak forward current  
Total power dissipation  
Tj = Tjmax  
Ts = 80 °C  
Ts = 80 °C  
A
Tj = Tjmax  
W
°C  
Maximum junction temperature  
Tjmax  
Copyright Vincotech  
2
24 Jan. 2019 / Revision 6  
1234567...29

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