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04023J4R1BBSTR

更新时间: 2024-09-13 12:37:23
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京瓷/艾维克斯 - KYOCERA AVX 电容器射频微波
页数 文件大小 规格书
20页 458K
描述
Thin-Film RF/Microwave Capacitors

04023J4R1BBSTR 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:, 0402
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8532.25.00.45Factory Lead Time:16 weeks
风险等级:1.59电容:0.0000041 µF
电容器类型:FILM CAPACITOR介电材料:SILICON DIOXIDE AND OXYNITRIDE
高度:0.4 mmJESD-609代码:e3
长度:1 mm安装特点:SURFACE MOUNT
负容差:2.44%端子数量:2
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
封装形状:RECTANGULAR PACKAGE封装形式:SMT
包装方法:TR, 7/13 INCH正容差:2.44%
额定(直流)电压(URdc):25 V参考标准:AEC-Q200
尺寸代码:0402表面贴装:YES
温度系数:30ppm/Cel ppm/ °C端子面层:Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形状:WRAPAROUND宽度:0.55 mm
Base Number Matches:1

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Thin-Film Technology  
®
®
Accu-F / Accu-P  
Thin-Film RF/Microwave Capacitors  
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完全替代

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Film Capacitor, Silicon Dioxide And Nitride, 25V, 1.1905% +Tol, 1.1905% -Tol, -/+30ppm/Cel
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