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ZXT10P12DE6TC

更新时间： 2024-01-11 16:30:03

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美台 - DIODES		晶体开关晶体管功率双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	237K
描述
12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

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ZXT10P12DE6TC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SUPERSOT-6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.13
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	45	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	110 MHz
Base Number Matches：	1

ZXT10P12DE6TC 数据手册

ZXT10P12DE6

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

LIMIT

-12

-5

UNIT

Co lle cto r-Ba s e Vo lta g e

Co lle cto r-Em itte r Vo lta g e

Em itte r-Ba s e Vo lta g e

Pe a k Pu ls e Cu rre n t

CBO

CEO

EBO

-10

-3

Co n tin u o u s Co lle cto r Cu rre n t

Ba s e Cu rre n t

-500

m A

Po w e r Dis s ip a tio n a t TA=25°C (a )

Lin e a r De ra tin g Fa cto r

1.1

8.8

m W/°C

Po w e r Dis s ip a tio n a t TA=25°C (b )

Lin e a r De ra tin g Fa cto r

1.7

13.6

m W/°C

Op e ra tin g a n d S to ra g e Te m p e ra tu re Ra n g e

T :T

-55 to +150

°C

s tg

THERMAL RESISTANCE

PARAMETER

S YMBOL

VALUE

UNIT

J u n ctio n to Am b ie n t (a )

J u n ctio n to Am b ie n t (b )

113

°C/W

θJ A

NOTES

(a) For a device surface m ounted on 25m m x 25m m FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper,

in still air conditions

(b) For a device surface m ounted on FR4 PCB m easured at tр5 secs.

ISSUE 1 - SEPTEMBER 2000

123 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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