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ZX5T951GTA

更新时间: 2024-01-09 19:32:29
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美台 - DIODES 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 125K
描述
60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

ZX5T951GTA 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.34
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):4.3 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):120 MHz
Base Number Matches:1

ZX5T951GTA 数据手册

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ZX5T951G  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
ISSUE 2 - SEPTEMBER 2003  
5
S E M IC O N D U C T O R S  

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