ZX5T951GTA

更新时间： 2024-02-20 15:29:10

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管
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6页	125K
描述
60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

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ZX5T951GTA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.34
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	4.3 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

ZX5T951GTA 数据手册

ZX5T951G

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

S YMBOL

LIMIT

-100

-60

UNIT

Co lle cto r-b a s e vo lta g e

CBO

CEO

EBO

Co lle cto r-e m itte r vo lta g e

Em itte r-b a s e vo lta g e

-7

Co n tin u o u s co lle cto r cu rre n t

-5.5

Pe a k p u ls e cu rre n t

(a )

-15

Po w e r d is s ip a tio n a t T =25°C

3.0

Lin e a r d e ra tin g fa cto r

m W/°C

(b )

Po w e r d is s ip a tio n a t T =25°C

1.6

Lin e a r d e ra tin g fa cto r

12.8

-55 to +150

m W/°C

°C

Op e ra tin g a n d s to ra g e te m p e ra tu re ra n g e

T , T

j s tg

THERMAL RESISTANCE

PARAMETER

S YMBOL

VALUE

UNIT

(a )

J u n ctio n to a m b ie n t

°C/W

⍜J A

NOTES

(a) For a device surface m ounted on 52m m x 52m m x 1.6m m FR4 PCB with high coverage of single sided 2oz copper, in still air conditions.

(b) For a device surface m ounted on 25m m x 25m m x 1.6m m FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions.

ISSUE 2 - SEPTEMBER 2003

S E M IC O N D U C T O R S

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