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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.36 | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 130 MHz | VCEsat-Max： | 0.2 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZTX853SMTC | DIODES |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| ZTX853STOA | DIODES |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| ZTX853STOA | ZETEX |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| ZTX853STOB | DIODES |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| ZTX853STZ | ZETEX |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| ZTX855 | DIODES |
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NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
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| ZTX855 | ZETEX |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
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| ZTX855SM | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| ZTX855SM | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| ZTX855SMTA | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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