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ZTX555 PDF预览

ZTX555

更新时间： 2024-10-30 21:10:39
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 83K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX555 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-92包装说明：IN-LINE, R-PSIP-W3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.11Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PSIP-W3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

ZTX555 数据手册

 浏览型号ZTX555的Datasheet PDF文件第2页 
PNP SILICON PLANAR  
ZTX554  
ZTX555  
MEDIUM POWER TRANSISTORS  
ISSUE 1 – MARCH 94  
FEATURES  
*
*
*
150 Volt VCEO  
1 Amp continuous current  
Ptot= 1 Watt  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
ZTX554  
-140  
ZTX555  
-160  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
A
A
-125  
-150  
-5  
-2  
-1  
Peak Pulse Current  
Continuous Collector Current  
IC  
Power Dissipation: at Tamb= 25°C  
derate above 25°C  
Ptot  
1
5.7  
W
mW/ °C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL  
ZTX554  
ZTX555  
UNIT CONDITIONS.  
MIN. MAX MIN. MAX  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-140  
-125  
-5  
-160  
-150  
-5  
V
V
V
IC=-100µA  
IC=-10mA*  
IE=-100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
-0.1  
-0.1  
-0.3  
-1  
VCB=-120V  
VCB=-140V  
µA  
µA  
-0.1  
-0.1  
Emitter Cut-Off  
Current  
IEBO  
VEB=-4V  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
-0.3  
-1  
V
IC=-100mA, IB=-10mA*  
IC=-100mA, IB=-10mA*  
IC=-100mA, VCE=-10V*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
V
Base-Emitter  
Turn-on Voltage  
-1  
-1  
V
Static Forward  
Current Transfer Ratio  
50  
50  
50  
50  
IC=-10mA, VCE=-10V*  
IC=-300mA, VCE=-10V*  
300  
300  
10  
Transition Frequency fT  
Output Capacitance Cobo  
100  
100  
MHz  
pF  
IC=-50mA, VCE=-10V  
f=100MHz  
10  
VCB=-10V, f=1MHz  
3-198  
12

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