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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.33 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 基于收集器的最大容量： | 10 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 200 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JESD-30 代码： | R-PSIP-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 75 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZTX556STZ | ZETEX |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| ZTX557 | ETC |
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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTORS |
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| ZTX557DA | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | CHIP |
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| ZTX557DB | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | CHIP |
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| ZTX557DC | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | CHIP |
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| ZTX557K | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
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| ZTX557L | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
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| ZTX557M1 | ZETEX |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
|
| ZTX557M1 | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
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| ZTX557M1TA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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