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ZMY18G

更新时间: 2024-10-29 22:41:11
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 稳压二极管齐纳二极管测试IOT
页数 文件大小 规格书
2页 56K
描述
Surface mount Silicon-Zener Diodes (planar technology)

ZMY18G 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.46Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:11 Ω湿度敏感等级:1
元件数量:1最高工作温度:175 °C
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:1 W
标称参考电压:18 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%工作测试电流:25 mA
Base Number Matches:1

ZMY18G 数据手册

 浏览型号ZMY18G的Datasheet PDF文件第2页 
ZMY 1 G … ZMY 100 G (1.0 W)  
Surface mount Silicon-Zener Diodes  
Planare Si-Zener-Dioden  
(planar technology)  
für die Oberflächenmontage  
Version 2004-05-13  
Maximum power dissipation  
Maximale Verlustleistung  
1.0 W  
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung  
1…100 V  
Glass case MELF  
DO-213AB  
Glasgehäuse MELF  
Weight approx. – Gewicht ca.  
0.12 g  
Standard packaging taped and reeled  
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle  
see page 18  
siehe Seite 18  
Dimensions / Maße in mm  
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.  
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.  
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der  
internationalen Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf  
Anfrage.  
Advantages of planar Zener-Diodes:  
Low junction capacity  
Vorteile der planaren Zener-Dioden:  
Niedrige Sperrschichtkapazität  
Niedriger Sperrstrom IR  
Low leakage current IR  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Power dissipation – Verlustleistung  
TA = 25°C  
Ptot  
1.0 W 1)  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
– 50...+175°C  
– 50...+175°C  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA < 150 K/W 1)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
1
)
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal  
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß  
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen  
2
3
)
)
The ZMY 1 G is a diode operated in forward. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.  
The cathode, indicated by a white ring is to be connected to the negative pole.  
Die ZMY 1 G ist eine in Durchlaß betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index  
“F” anstatt “Z” zu setzten. Die durch den weißen Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.  
1

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