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ZMY1G PDF预览

ZMY1G

更新时间： 2024-09-12 22:41:11
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德欧泰克 - DIOTEC 稳压二极管
页数 文件大小 规格书
2页 56K
描述
Surface mount Silicon-Zener Diodes (planar technology)

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ZMY1G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.84配置：SINGLE
二极管类型：ZENER DIODE最大动态阻抗：8 Ω
湿度敏感等级：1元件数量：1
最高工作温度：175 °C峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：1 W标称参考电压：0.7 V
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：YES
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：5%
工作测试电流：5 mABase Number Matches：1

ZMY1G 数据手册

 浏览型号ZMY1G的Datasheet PDF文件第2页 
ZMY 1 G … ZMY 100 G (1.0 W)  
Surface mount Silicon-Zener Diodes  
Planare Si-Zener-Dioden  
(planar technology)  
für die Oberflächenmontage  
Version 2004-05-13  
Maximum power dissipation  
Maximale Verlustleistung  
1.0 W  
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung  
1…100 V  
Glass case MELF  
DO-213AB  
Glasgehäuse MELF  
Weight approx. – Gewicht ca.  
0.12 g  
Standard packaging taped and reeled  
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle  
see page 18  
siehe Seite 18  
Dimensions / Maße in mm  
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.  
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.  
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der  
internationalen Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf  
Anfrage.  
Advantages of planar Zener-Diodes:  
Low junction capacity  
Vorteile der planaren Zener-Dioden:  
Niedrige Sperrschichtkapazität  
Niedriger Sperrstrom IR  
Low leakage current IR  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Power dissipation – Verlustleistung  
TA = 25°C  
Ptot  
1.0 W 1)  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
– 50...+175°C  
– 50...+175°C  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA < 150 K/W 1)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
1
)
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal  
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß  
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen  
2
3
)
)
The ZMY 1 G is a diode operated in forward. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.  
The cathode, indicated by a white ring is to be connected to the negative pole.  
Die ZMY 1 G ist eine in Durchlaß betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index  
“F” anstatt “Z” zu setzten. Die durch den weißen Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.  
1
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