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ZDM4306NTC

更新时间： 2024-11-21 19:51:11

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	62K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SM-8, 8 PIN

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ZDM4306NTC 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.3
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	0.33 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	30 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZDM4306NTC 数据手册

SM-8 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT

ZDM4306N

MODE MOSFETS

ISSUE 1 - NOVEMBER 1995

D₁

D₂

G₁

S₁

G₂

S₂

SM-8

(8 LEAD SOT223)

PARTMARKING DETAIL – M4306N

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

Continuous Drain Current at T_{am b}=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

Operating and Storage Tem perature Range

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

P_tot

VALUE

UNIT

Total Power Dissipation at T_{am b}= 25°C*

Any single die “on”

Both die “on” equally

2.5

3.0

Derate above 25°C*

Any single die “on”

Both die “on” equally

m W/ °C

Therm al Resistance - J unction to Am bient*

Any single die “on”

Both die “on” equally

50.0

41.6

°C/ W

* The power which can be dissipated assum ing the device is m ounted in a typical m anner on a PCB

with copper equal to 2 inches square.

Note:

This data is derived from developm ent m aterial and does not necessarily m ean that the device will

go into production

3 - 321

12 3

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