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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> XP1111TX
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XP1111TX

更新时间： 2024-09-19 13:16:11
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 36K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon

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XP1111TX 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：35
JESD-30 代码：R-PDSO-G5元件数量：2
端子数量：5最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

XP1111TX 数据手册

 浏览型号XP1111TX的Datasheet PDF文件第2页 
Composite Transistors  
XP1111  
Silicon PNP epitaxial planer transistor  
Unit: mm  
For switching/digital circuits  
2.1±0.1  
1.25±0.1  
0.425  
0.425  
Features  
■
5
1
●
Two elements incorporated into one package.  
(Emitter-coupled transistors with built-in resistor)  
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.  
2
3
4
●
Basic Part Number of Element  
UN1111 × 2 elements  
■
●
0.2±0.1  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
1 : Base (Tr1)  
2 : Emitter  
3 : Base (Tr2)  
4 : Collector (Tr2)  
5 : Collector (Tr1)  
EIAJ : SC–88A  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Ratings  
–50  
Unit  
V
S–Mini Type Package (5–pin)  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Collector current  
Total power dissipation  
Rating  
of  
element  
–50  
V
Marking Symbol: 9S  
Internal Connection  
–100  
mA  
mW  
˚C  
PT  
150  
Overall Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
Tr1  
1
5
4
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
2
3
Tr2  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
Conditions  
min  
–50  
–50  
typ  
max  
Unit  
V
Collector to base voltage  
IC = –10µA, IE = 0  
Collector to emitter voltage  
VCEO  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
IC = –2mA, IB = 0  
VCB = –50V, IE = 0  
VCE = –50V, IB = 0  
VEB = –6V, IC = 0  
V
– 0.1  
– 0.5  
– 0.5  
µA  
µA  
mA  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
Forward current transfer ratio  
Forward current transfer hFE ratio  
VCE = –10V, IC = –5mA  
35  
hFE (small/large)*1 VCE = –10V, IC = –5mA  
0.5  
0.99  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = –10mA, IB = – 0.3mA  
– 0.25  
– 0.2  
V
V
Output voltage high level  
Output voltage low level  
Transition frequency  
Input resistance  
VOH  
VOL  
fT  
VCC = –5V, VB = – 0.5V, RL = 1kΩ  
VCC = –5V, VB = –2.5V, RL = 1kΩ  
VCB = –10V, IE = 1mA, f = 200MHz  
–4.9  
V
80  
10  
MHz  
kΩ  
R1  
–30%  
0.8  
+30%  
1.2  
Resistance ratio  
R1/R2  
1.0  
*1 Ratio between 2 elements  
1
12

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