XP1213

更新时间： 2024-09-18 22:11:19

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管
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2页	35K
描述
Silicon NPN epitaxial planer transistor

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XP1213 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-88A	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.82	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PDSO-G5	元件数量：	2
端子数量：	5	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

XP1213 数据手册

Composite Transistors

XP1213

Silicon NPN epitaxial planer transistor

Unit: mm

For switching/digital circuits

2.1±0.1

1.25±0.1

0.425

Features

■

●

Two elements incorporated into one package.

(Emitter-coupled transistors with built-in resistor)

Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.

●

Basic Part Number of Element

UN1213 × 2 elements

■

●

0.2±0.1

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

1 : Base (Tr1)

2 : Emitter

3 : Base (Tr2)

4 : Collector (Tr2)

5 : Collector (Tr1)

EIAJ : SC–88A

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Ratings

Unit

S–Mini Type Package (5–pin)

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector current

Total power dissipation

Rating

element

Marking Symbol: 9L

Internal Connection

100

˚C

P_T

150

Overall Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

Tr1

T_stg

–55 to +150

˚C

Tr2

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

Collector to base voltage

I_C= 10µA, I_E= 0

Collector to emitter voltage

V_CEO

I_CBO

I_CEO

I_EBO

h_FE

I_C= 2mA, I_B= 0

V_CB= 50V, I_E= 0

V_CE= 50V, I_B= 0

V_EB= 6V, I_C= 0

V_CE= 10V, I_C= 5mA

0.1

0.5

0.1

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

Forward current transfer ratio

Forward current transfer h_FEratio

h_FE(small/large)^*1V_CE= 10V, I_C= 5mA

0.5

0.99

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= 10mA, I_B= 0.3mA

0.25

0.2

Output voltage high level

Output voltage low level

Transition frequency

Input resistance

V_OH

V_OL

f_T

V_CC= 5V, V_B= 0.5V, R_L= 1kΩ

V_CC= 5V, V_B= 3.5V, R_L= 1kΩ

V_CB= 10V, I_E= –2mA, f = 200MHz

4.9

150

MHz

kΩ

R₁

–30%

0.8

+30%

1.2

Resistance ratio

R₁/R₂

1.0

^*1Ratio between 2 elements

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