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X28HC64JIZ-70T1 PDF预览

X28HC64JIZ-70T1

更新时间： 2024-11-03 09:37:07
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 436K
描述
64k, 8k x 8 Bit; 5 Volt, Byte Alterable EEPROM; PDIP28, PLCC32, SOIC28; Temp Range: See Datasheet

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X28HC64JIZ-70T1 技术参数

生命周期：Unknown零件包装代码：PDIP, PLCC, SOIC
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32针数：28, 32, 28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：5.46最长访问时间：70 ns
命令用户界面：NO数据轮询：YES
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PQCC-J32
JESD-609代码：e3长度：13.97 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：32
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC32,.5X.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER页面大小：64 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：245
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.55 mm
最大待机电流：0.0002 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.04 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：40
切换位：YES宽度：11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 msBase Number Matches：1

X28HC64JIZ-70T1 数据手册

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DATASHEET  
64k, 8k x 8-Bit 5 Volt, Byte Alterable EEPROM  
X28HC64  
Features  
The X28HC64 is an 8k x 8 EEPROM, fabricated with Intersil’s  
proprietary, high performance, floating gate CMOS technology.  
Like all Intersil programmable nonvolatile memories, the  
X28HC64 is a 5V only device. It features the JEDEC approved  
pinout for byte-wide memories, compatible with industry  
standard RAMs.  
• 70ns access time  
• Simple byte and page write  
- Single 5V supply  
- No external high voltages or VP-P control circuits  
- Self-timed  
- No erase before write  
The X28HC64 supports a 64-byte page write operation, effectively  
providing a 32µs/byte write cycle, and enabling the entire  
memory to be typically written in 0.25 seconds. The X28HC64  
also features DATA Polling and Toggle Bit Polling, two methods  
providing early end of write detection. In addition, the X28HC64  
includes a user-optional software data protection mode that  
further enhances Intersil’s hardware write protect capability.  
- No complex programming algorithms  
- No overerase problem  
• Low power CMOS  
- 40mA active current maximum  
• 200µA standby current maximum  
• Fast write cycle times  
Intersil EEPROMs are designed and tested for applications  
requiring extended endurance. Inherent data retention is  
greater than 100 years.  
- 64-byte page write operation  
- Byte or page write cycle: 2ms typical  
- Complete memory rewrite: 0.25s typical  
- Effective byte write cycle time: 32µs typical  
• Software data protection  
• End of write detection  
- DATA polling  
- Toggle bit  
• High reliability  
- Endurance: 100,000 cycles  
- Data retention: 100 years  
• JEDEC approved byte-wide pinout  
• Pb-free available (RoHS compliant)  
Pin Configurations  
X28HC64  
(28 LD PDIP, SOIC)  
TOP VIEW  
X28HC64  
(32 LD PLCC)  
TOP VIEW  
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A
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11  
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OE  
OE  
X28HC64  
X28HC64  
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I/O  
V
SS  
June 27, 2016  
FN8109.4  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
1
1-888-INTERSIL or 1-888-468-3774 | Copyright Intersil Americas LLC 2005, 2006, 2009, 2015, 2016. All Rights Reserved  
Intersil (and design) is a trademark owned by Intersil Corporation or one of its subsidiaries.  
All other trademarks mentioned are the property of their respective owners.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
X28HC64JIZ-70-T1 RENESAS

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 		EEPROM, 8KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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