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X28C010R-12 PDF预览

X28C010R-12

更新时间： 2024-11-06 20:12:51
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 132K
描述
IC,EEPROM,128KX8,CMOS,SOP,32PIN,CERAMIC

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X28C010R-12 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC针数：32
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.69
最长访问时间：120 ns命令用户界面：NO
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-XDSO-G32
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX8封装主体材料：CERAMIC
封装代码：SOP封装等效代码：SOP32,.56
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
页面大小：256 words并行/串行：PARALLEL
电源：5 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.0005 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.05 mA标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
切换位：YESBase Number Matches：1

X28C010R-12 数据手册

 浏览型号X28C010R-12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号X28C010R-12的Datasheet PDF文件第3页浏览型号X28C010R-12的Datasheet PDF文件第4页浏览型号X28C010R-12的Datasheet PDF文件第5页浏览型号X28C010R-12的Datasheet PDF文件第6页浏览型号X28C010R-12的Datasheet PDF文件第7页 
1M  
128K x 8 Bit  
X28C010  
5 Volt, Byte Alterable E2PROM  
FEATURES  
DESCRIPTION  
2
• Access Time: 120ns  
• Simple Byte and Page Write  
—Single 5V Supply  
—No External High Voltages or VPP Control Cir-  
cuits  
—Self-Timed  
• No Erase Before Write  
• No Complex Programming Algorithms  
• No Overerase Problem  
• Low Power CMOS:  
—Active: 50mA  
—Standby: 500µA  
• Software Data Protection  
—Protects Data Against System Level  
Inadvertant Writes  
• High Speed Page Write Capability  
• Highly Reliable Direct Write™ Cell  
—Endurance: 100,000 Write Cycles  
—Data Retention: 100Years  
• Early End of Write Detection  
—DATA Polling  
The Xicor X28C010 is a 128K x 8 E PROM, fabricated  
with Xicor's proprietary, high performance, floating gate  
CMOS technology. Like all Xicor programmable non-  
volatile memories the X28C010 is a 5V only device. The  
X28C010 features the JEDEC approved pinout for byte-  
wide memories, compatible with industry standard  
EPROMs.  
The X28C010 supports a 256-byte page write operation,  
effectively providing a 19µs/byte write cycle and enabling  
the entire memory to be typically written in less than 2.5  
seconds. The X28C010 also features DATA Polling and  
Toggle Bit Polling, system software support schemes  
used to indicate the early completion of a write cycle. In  
addition, the X28C010 supports Software Data Protection  
option.  
2
Xicor E PROMs are designed and tested for applications  
requiring extended endurance. Data retention is specified  
to be greater than 100 years.  
—Toggle Bit Polling  
PIN CONFIGURATIONS  
EXTENDED LCC  
PLCC  
CERDIP  
FLAT PACK  
SOIC (R)  
LCC  
PGA  
4
3
2
32 31 30  
30  
29  
I/O  
15  
I/O  
17  
I/O  
19  
I/O  
21  
I/O  
22  
1
0
2
3
5
6
4
3
2
32 31  
A
NC  
1
32  
V
A
5
6
7
5
29  
A
14  
7
A
7
CC  
14  
1
A
A
6
7
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
A
A
8
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
A
A
6
6
13  
13  
A
2
3
31  
30  
WE  
CE  
24  
A
13  
A
I/O  
V
I/O  
I/O  
A
A
16  
1
0
1
SS  
4
7
5
5
8
14  
16  
18  
20  
23  
A
A
A
A
A
8
9
8
9
NC  
4
9
4
9
15  
X28C010  
(TOP VIEW)  
X28C010  
(TOP VIEW)  
A
A
A
A
11  
A
A
A
10  
OE  
26  
3
11  
3
2
3
A
4
5
29  
28  
A
A
10  
11  
OE  
A
A
10  
11  
OE  
12  
14  
12  
11  
25  
2
2
A
A
A
A
1
10  
1
10  
A
7
13  
A
A
A
A
4
5
X28C010  
(BOTTOM VIEW)  
11  
9
A
12  
13  
CE  
I/O  
A
12  
13  
CE  
0
0
10  
9
7
27  
28  
A
6
6
27  
A
8
I/O  
I/O  
0
I/O  
0
15 1617 18 1920  
7
7
21  
14  
A
A
A
A
13  
A
7
8
26  
25  
A
6
7
8
14 15 1617 18 1920  
5
9
8
6
29  
30  
A
4
A
11  
X28C010  
A
A
NC  
NC  
V
NC  
34  
NC  
32  
A
14  
31  
12  
15  
CC  
A
9
24  
23  
OE  
3
5
4
2
3
36  
TSOP  
A
2
10  
A
10  
A
NC  
NC  
33  
WE  
35  
16  
1
2
3
4
5
6
7
8
40  
39  
A11  
A9  
A8  
A
11  
12  
13  
14  
15  
16  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
CE  
1
OE  
A10  
CE  
1
38  
37  
36  
A
0
I/O  
7
I/O  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
NC  
NC  
VSS  
NC  
A13  
A14  
NC  
I/O  
0
6
35  
34  
NC  
NC  
WE  
I/O  
I/O  
5
I/O  
1
33  
32  
31  
9
I/O  
2
4
X28C010  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
VCC  
NC  
NC  
30  
29  
28  
V
I/O  
3
SS  
NC  
A16  
A15  
NC  
I/O2  
I/O1  
I/O0  
A0  
A1  
A2  
27  
26  
25  
A12  
A7  
A6  
24  
23  
22  
21  
A5  
A4  
A3  
????-1.0 2/12/99 ??/??/?? EP  
Characteristics subject to change without notice  
1
1234567...24

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与X28C010R-12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
X28C010R-12T1 RENESAS

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 		128KX8 EEPROM 5V, 120ns, CDSO32, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOIC-32
X28C010R-15 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C010R-15T1 RENESAS

获取价格

 		EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDSO32, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOIC-32
X28C010R-20 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C010R-25 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C010R-25 RENESAS

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 		IC,EEPROM,128KX8,CMOS,SOP,32PIN,CERAMIC
X28C010R-25T1 RENESAS

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 		暂无描述
X28C010RI-12 INTERSIL

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 		5 Volt, Byte Alterable EEPROM
X28C010RI-12 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C010RI-12T1 RENESAS

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