是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | CERAMIC, SOIC-32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.69 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 150 ns | 其他特性: | PAGE WRITE |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | R-CDSO-G32 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP32,.56 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 页面大小: | 256 words |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.0005 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 切换位: | YES |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X28C010RM-15T1 | RENESAS |
获取价格 |
128KX8 EEPROM 5V, 150ns, CDSO32, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOIC-32 | |
X28C010RM-20 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C010RM-20T1 | RENESAS |
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EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDSO32, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOIC-32 | |
X28C010RM-25 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C010RM-25T1 | RENESAS |
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128KX8 EEPROM 5V, 250ns, CDSO32, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOIC-32 | |
X28C010RMB-12 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C010RMB-15 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C010RMB-20 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C010RMB-25 | INTERSIL |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28C010RMB-25 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM |