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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | PLASTIC, DIP-32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.08 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 120 ns | 其他特性： | PAGE WRITE |
| 命令用户界面： | NO | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 42.025 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 128KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 页面大小： | 256 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.82 mm |
| 最大待机电流： | 0.0005 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | YES | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| X28C010PM-15 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 |
|
| X28C010PMB-12 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 |
|
| X28C010PMB-15 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 |
|
| X28C010PMB-20 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 |
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| X28C010R-12 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
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| X28C010R-12 | RENESAS |
获取价格 |
IC,EEPROM,128KX8,CMOS,SOP,32PIN,CERAMIC |
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| X28C010R-12T1 | RENESAS |
获取价格 |
128KX8 EEPROM 5V, 120ns, CDSO32, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOIC-32 |
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| X28C010R-15 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
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| X28C010R-15T1 | RENESAS |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDSO32, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOIC-32 |
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| X28C010R-20 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
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