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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 690.8 A |
| 断态重复峰值电压： | 4500 V | 重复峰值反向电压： | 18 V |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 触发设备类型： | GATE TURN-OFF SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG8045S26 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 855A I(T)RMS, 3200V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
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| WG8045S28 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 855A I(T)RMS, 3300V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
|
| WG8045S30 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 855A I(T)RMS, 3400V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
|
| WG8045S32 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 855A I(T)RMS, 3500V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
|
| WG8045S34 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 855A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
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| WG8045S36 | IXYS |
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暂无描述 |
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| WG8046S | ETC |
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THYRISTOR|GTO|TO-200VAR74 |
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| WG8046SX | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 855A I(T)RMS, 3800V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
|
| WG8048S | ETC |
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THYRISTOR|GTO|TO-200VAR74 |
|
| WG8050S | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR|GTO|TO-200VAR74 |
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