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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | PEAK TURN-OFF CURRENT IS 800A | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 认证状态： | Not Qualified | 断态重复峰值电压： | 4000 V |
| 重复峰值反向电压： | 16 V | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 触发设备类型： | GATE TURN-OFF SCR |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG8042S | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR|GTO|TO-200AC |
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| WG8042S16-G3 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 4200 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG8044S | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR|GTO|TO-200AC |
|
| WG8044S16-G3 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4400 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG8045S | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 690.8A I(T)RMS, 4500V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
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| WG8045S26 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 855A I(T)RMS, 3200V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
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| WG8045S28 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 855A I(T)RMS, 3300V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
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| WG8045S30 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 855A I(T)RMS, 3400V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
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| WG8045S32 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 855A I(T)RMS, 3500V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
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| WG8045S34 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 855A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
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