是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | QFP, QFP68,.99SQ,50 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.59 | 最长访问时间: | 150 ns |
其他特性: | USER CONFIGURABLE 1M X 32; 1000000 ERASE/PROGRAM CYCLES; MINIMUM 20 YEARS DATA RETENTION | 启动块: | BOTTOM |
数据轮询: | YES | 数据保留时间-最小值: | 20 |
JESD-30 代码: | S-CQFP-G68 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 22.36 mm | 内存密度: | 33554432 bit |
内存集成电路类型: | FLASH MODULE | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 1,2,1,15 |
端子数量: | 68 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX32 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QFP | 封装等效代码: | QFP68,.99SQ,50 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 编程电压: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.57 mm |
部门规模: | 4K,2K,8K,16K | 最大待机电流: | 0.0002 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.14 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Gold (Au) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | NO |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 22.36 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WF1M32B-150G2TC3A | WEDC |
获取价格 |
1Mx32 3.3V Flash Module |
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WF1M32B-150G2TI3 | WEDC |
获取价格 |
1Mx32 3.3V Flash Module |
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WF1M32B-150G2TI3A | WEDC |
获取价格 |
1Mx32 3.3V Flash Module |
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WF1M32B-150G2TM3 | WEDC |
获取价格 |
1Mx32 3.3V Flash Module |
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WF1M32B-150G2TM3A | WEDC |
获取价格 |
1Mx32 3.3V Flash Module |
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WF1M32B-150G2UC3A | MERCURY |
获取价格 |
Flash Module, 1MX32, 150ns, CQFP68, 0.140 X 0.140 INCH, 3.50 MM HEIGHT, CERAMIC, QFP-68 |
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WF1M32B-150G2UI3A | MICROSEMI |
获取价格 |
Flash Module, 1MX32, 150ns, CQFP68, 0.140 X 0.140 INCH, 3.50 MM HEIGHT, CERAMIC, QFP-68 |
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WF1M32B-150G2UI3A | MERCURY |
获取价格 |
Flash Module, 1MX32, 150ns, CQFP68, 0.140 X 0.140 INCH, 3.50 MM HEIGHT, CERAMIC, QFP-68 |
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WF1M32B-150G2UQ3 | MERCURY |
获取价格 |
Flash Module |
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WF1M32B-150G2UQ3A | MERCURY |
获取价格 |
Flash Module, |
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