生命周期: | Active | 包装说明: | PGA, PGA66,11X11 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.62 |
最长访问时间: | 150 ns | 其他特性: | USER CONFIGURABLE AS 4M X 8 |
备用内存宽度: | 16 | 启动块: | BOTTOM |
数据轮询: | YES | 数据保留时间-最小值: | 20 |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | S-CPGA-P66 |
长度: | 27.3 mm | 内存密度: | 33554432 bit |
内存集成电路类型: | FLASH MODULE | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 1,2,1,15 |
端子数量: | 66 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
组织: | 1MX32 | 封装主体材料: | CERAMIC |
封装代码: | PGA | 封装等效代码: | PGA66,11X11 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 编程电压: | 3.3 V |
座面最大高度: | 4.6 mm | 部门规模: | 16K,8K,32K,64K |
最大待机电流: | 0.0002 A | 最大压摆率: | 0.14 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 端子形式: | PIN/PEG |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | PERPENDICULAR |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 27.3 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WF1M32B-150HC3 | WEDC |
获取价格 |
1Mx32 3.3V Flash Module |
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WF1M32B-150HC3A | MICROSEMI |
获取价格 |
Flash Module, 1MX32, 150ns, CHIP66, PGA TYPE, CERAMIC, HIP-66 |
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WF1M32B-150HC3A | WEDC |
获取价格 |
1Mx32 3.3V Flash Module |
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WF1M32B-150HI3 | WEDC |
获取价格 |
1Mx32 3.3V Flash Module |
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WF1M32B-150HI3A | WEDC |
获取价格 |
1Mx32 3.3V Flash Module |
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WF1M32B-150HM3 | WEDC |
获取价格 |
1Mx32 3.3V Flash Module |
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WF1M32B-150HM3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Flash, |
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WF1M32B-150HM3A | WEDC |
获取价格 |
1Mx32 3.3V Flash Module |
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WF1M32BP-100G2TC5 | WEDC |
获取价格 |
Flash Module, 1MX32, 100ns, CQFP68, |
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WF1M32BP-100G2TI5 | WEDC |
获取价格 |
Flash Module, 1MX32, 100ns, CQFP68, |
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