是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | 21 X 21 MM, BGA-192 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.75 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 6 ns | 其他特性: | 512K X 32 SRAM ALSO AVAILABLE |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B192 | 长度: | 21 mm |
内存密度: | 67108864 bit | 内存集成电路类型: | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度: | 64 | 混合内存类型: | SDRAM+SRAM |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 192 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1MX64 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA192,16X16,50 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.85 mm | 子类别: | Other Memory ICs |
最大压摆率: | 0.5 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 21 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WED9LAPC3C16V8BC | WEDC |
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512K x 32 SSRAM / 1M x 64 SDRAM | |
WED9LAPC3C16V8BI | WEDC |
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512K x 32 SSRAM / 1M x 64 SDRAM | |
WED9LC6416V | ETC |
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128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM | |
WED9LC6416V1310BC | ETC |
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128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM | |
WED9LC6416V1310BI | ETC |
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128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM | |
WED9LC6416V1312BC | ETC |
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128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM | |
WED9LC6416V1312BI | ETC |
获取价格 |
128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM | |
WED9LC6416V1510BC | ETC |
获取价格 |
128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM | |
WED9LC6416V1510BI | ETC |
获取价格 |
128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM | |
WED9LC6416V1512BC | ETC |
获取价格 |
128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM |