是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | BGA, BGA153,9X17,50 | 针数: | 153 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.69 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LG-MAX; WD-MAX; SEATED HT-CALCULATED | JESD-30 代码: | R-PBGA-B153 |
长度: | 22.1 mm | 内存密度: | 134217728 bit |
内存集成电路类型: | MEMORY CIRCUIT | 内存宽度: | 32 |
混合内存类型: | SDRAM+SRAM | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 153 | 字数: | 4194304 words |
字数代码: | 4000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 4MX32 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA153,9X17,50 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.58 mm |
最大待机电流: | 0.04 A | 子类别: | Other Memory ICs |
最大压摆率: | 0.65 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 14.1 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WED9LC6816V1312BC | WEDC |
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256Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM | |
WED9LC6816V1312BI | WEDC |
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256Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM | |
WED9LC6816V1510BC | WEDC |
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256Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM | |
WED9LC6816V1510BI | WEDC |
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256Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM | |
WED9LC6816V1512BC | WEDC |
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256Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM | |
WED9LC6816V1512BC | MICROSEMI |
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Memory Circuit, SDRAM+SRAM, 4MX32, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, MO-163, BGA-153 | |
WED9LC6816V1512BI | WEDC |
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256Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM | |
WED9LC6816V1610BC | WEDC |
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256Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM | |
WED9LC6816V1610BI | WEDC |
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256Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM | |
WED9LC6816V1612BC | WEDC |
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256Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM |