是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | DIMM, DIMM144,32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.69 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 100 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XZMA-N144 |
JESD-609代码: | e4 | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | 内存宽度: | 64 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 144 | 字数: | 4194304 words |
字数代码: | 4000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 4MX64 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM144,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 自我刷新: | YES |
最大待机电流: | 0.004 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.46 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Gold (Au) |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | ZIG-ZAG | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WED3DG644V10D1-SG | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG644V10WD1I-MG | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG644V10WD1I-S | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, CMOS, SODIMM-144 | |
WED3DG644V10WD1I-SG | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG644V10WD1-M | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, CMOS, SODIMM-144 | |
WED3DG644V10WD1-MG | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG644V10WD1-S | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, CMOS, SODIMM-144 | |
WED3DG644V10WD1-SG | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG644V133D1I-M | WEDC |
获取价格 |
32MB - 4Mx64 SDRAM, UNBUFFERED | |
WED3DG644V133D1I-MG | WEDC |
获取价格 |
32MB - 4Mx64 SDRAM, UNBUFFERED |