是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SODIMM |
包装说明: | , | 针数: | 144 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.24 | 风险等级: | 5.61 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码: | R-XZMA-N144 | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | 内存宽度: | 64 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 144 | 字数: | 4194304 words |
字数代码: | 4000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 4MX64 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
自我刷新: | YES | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | ZIG-ZAG | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WED3DG644V7D1I-M | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, CMOS, SODIMM-144 | |
WED3DG644V7D1I-MG | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG644V7D1I-SG | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG644V7D1-MG | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG644V7D1-S | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, CMOS, SODIMM-144 | |
WED3DG644V7D1-SG | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG644V7WD1I-MG | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG644V7WD1-M | WEDC |
获取价格 |
暂无描述 | |
WED3DG644V7WD1-MG | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 | |
WED3DG644V7WD1-SG | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 4MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 |