是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | S-XUFM-D5 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.73 | 其他特性: | UL RECOGNIZED |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | BRIDGE, 6 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.7 V | JESD-30 代码: | S-XUFM-D5 |
JESD-609代码: | e4 | 最大非重复峰值正向电流: | 550 A |
元件数量: | 6 | 相数: | 3 |
端子数量: | 5 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流: | 35 A |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 1400 V |
子类别: | Bridge Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
VUO36-16NO7 | IXYS |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 35A, 1600V V(RRM), Silicon | |
VUO36-16NO8 | IXYS |
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Three Phase Rectifier Bridge | |
VUO36-16NO8 | LITTELFUSE |
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三相桥系列提供多种封装和高达2200V的击穿电压。 | |
VUO36-18NO7 | IXYS |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 35A, 1800V V(RRM), Silicon | |
VUO36-18NO8 | IXYS |
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Three Phase Rectifier Bridge | |
VUO36-18NO8 | LITTELFUSE |
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三相桥系列提供多种封装和高达2200V的击穿电压。 | |
VUO50 | IXYS |
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Three Phase Rectifier Bridge | |
VUO50-04N03 | LITTELFUSE |
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Trigger Device, | |
VUO50-04NO3 | IXYS |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 58A, 400V V(RRM), Silicon | |
VUO50-06NO3 | IXYS |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 58A, 600V V(RRM), Silicon |