Datasheet > VUO16-12NO1

VUO16-12NO1

更新时间： 2024-11-19 22:41:31

品牌	Logo	应用领域
IXYS		三相整流桥
页数	文件大小	规格书
2页	54K
描述
Three Phase Rectifier Bridge

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

VUO16-12NO1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.81
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.2 V	JESD-30 代码：	R-PUFM-X7
JESD-609代码：	e4	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	6	相数：	3
端子数量：	7	最高工作温度：	130 °C
最大输出电流：	15 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

VUO16-12NO1 数据手册

VUO 16

I_dAVM= 20 A

V_RRM= 800-1800 V

Three Phase

Rectifier Bridge

1/2

V_RSM

V_RRM

Type

900

800

VUO 16-08NO1

VUO 16-12NO1

VUO 16-14NO1

VUO 16-16NO1

VUO 16-18NO1

1300

1500

1700

1900

1200

1400

1600

1800

4/5

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

Features

●

Package with DCB ceramic base plate

Isolation voltage 3600 V~

Planar passivated chips

Blocking voltage up to 1800 V

Low forward voltage drop

Leads suitable for PC board soldering

UL registered E72873

I_dAV

I_dAVM

T_K= 90°C, module

T_A= 45°C (R_thKA= 0.5 K/W), module

module

●

I_FSM

T_VJ= 45°C;

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

100

106

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

Applications

Supplies for DC power equipment

Input rectifiers for PWM inverter

Battery DC power supplies

●

I²t

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

A²s

●

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

A²s

●

Field supply for DC motors

Advantages

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+130

130

-40...+125

°C

●

Easy to mount with two screws

Space and weight savings

●

Improved temperature and power

V_ISOL

50/60 Hz, RMS t = 1 min

I_ISOL£ 1 mA t = 1 s

Mounting torque (M5)

(10-32UNF)

3000

3600

cycling

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

M_d

2 - 2.5

18-22

lb.in.

Weight

typ.

Symbol

I_R

Test Conditions

Characteristic Values

V_R= V_RRM

T_VJ= 25°C

T_VJ= T_VJM

0.3 mA

1.15

0.8

V_F

I_F= 7 A;

T_VJ= 25°C

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

50 mW

R_thJH

per diode,

per module,

120° rect.

4.5 K/W

0.75 K/W

d_S

d_A

Creeping distance on surface

Creepage distance in air

Max. allowable acceleration

12.7 mm

9.4 mm

50 m/s²

Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 2

中文翻译

下载PDF

VUO16-12NO1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
VUO22-12NO1	IXYS	类似代替	Three Phase Rectifier Bridge

与VUO16-12NO1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VUO16-14NO1	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO16-16NO1	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO16-18NO1	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge
VUO162-16NO7	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 164A, 1600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, CASE PWS-E F
VUO162-16NO7	LITTELFUSE	获取价格	三相桥系列提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
VUO18	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridges with Semi Fast Diodes
VUO18-12DT8	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridges with Semi Fast Diodes
VUO18-14DT8	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridges with Semi Fast Diodes
VUO18-16DT8	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridges with Semi Fast Diodes
VUO190	IXYS	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge

与VUO16-12NO1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VUO16-12NO1

VUO16-12NO1 技术参数

VUO16-12NO1 数据手册

VUO16-12NO1 替代型号

与VUO16-12NO1相关器件

与VUO16-12NO1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VUO16-12NO1

VUO16-12NO1 技术参数

VUO16-12NO1 数据手册

VUO16-12NO1 替代型号

与VUO16-12NO1相关器件

与VUO16-12NO1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？