VUO18-16DT8

更新时间： 2024-11-24 03:18:47

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IXYS		三相整流桥整流二极管桥式整流二极管局域网
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描述
Three Phase Rectifier Bridges with Semi Fast Diodes

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VUO18-16DT8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	S-PUFM-D5
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.74	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.85 V	JESD-30 代码：	S-PUFM-D5
最大非重复峰值正向电流：	300 A	元件数量：	6
相数：	3	端子数量：	5
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	18 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1600 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VUO18-16DT8 数据手册

VUO 18

Three Phase

I_dAVM= 18 A

Rectifier Bridges

with Semi Fast Diodes

Preliminary Data

V_RRM= 1200-1600 V

~ ~ ~

V_RSM

V_RRM

Type

1200

1400

1600

1200

1400

1600

VUO 18-12DT8

VUO 18-14DT8

VUO 18-16DT8

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

Features

Package with 1/4" fast-on terminals

Isolation voltage 3000 V~

Planar passivated chips

Blocking voltage up to 1600 V

Low forward voltage drop

UL registered E 72873

I_dAV

I_dAVM

T = 85°C, module

T^C_C= 63°C, module

I_FSM

= 45°C;

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

300

330

V^V_R^J= 0

= T

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

270

300

V^V_R^J= 0 ^VJM

I²t

= 45°C

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

450

460

A²s

V^V_R^J= 0

Applications

= T

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

365

380

A²s

Supplies for DC power equipment

Input rectifiers for PWM inverter

Battery DC power supplies

Field supply for DC motors

V^V_R^J= 0 ^VJM

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+150

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

Advantages

Easy to mount with one screw

Space and weight savings

Improved temperature and power

M_d

Mounting torque

(M5)

(10-32 UNF)

2 ± 10 %

18 ± 10 %

lb.in.

Weight

typ.

cycling

Up to 10 dB lower EMI/RFI

Symbol

I_R

Test Conditions

Characteristic Values

compared to standard rectifier

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

T_VJ= 25°C; V_R= V_RRM

T_VJ= 125°C; V_R= V_RRM

0.3

5.0

V_F

I_F= 55 A; T_VJ= 25°C

1.85

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

T_VJ= T_VJM

1.2

t_rr

T_VJ= 25°C; I_F= 10 A;

1.5

-di/dt = 10 A/ms, V_R= 1/2 V_RRM

R_thJC

R_thJK

per diode; 120° el

per module

9.3

1.55

K/W

per diode; 120° e

per module

10.2

1.7

K/W

d_S

d_A

Creeping distance on surface

Creepage distance in air

Max. allowable acceleration

12.7 mm

9.4 mm

50 m/s²

Data according to IEC 60747

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