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VT4060C-E3/4W

更新时间： 2024-11-02 19:51:59

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威世 - VISHAY		局域网功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
5页	135K
描述
DIODE 20 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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VT4060C-E3/4W 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.44
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.57 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	240 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	20 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	60 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VT4060C-E3/4W 数据手册

VT4060C-E3, VIT4060C-E3

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A

FEATURES

TMBS^®

• Trench MOS Schottky technology

TO-220AB

TO-262AA

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• Material categorization:

for definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

VT4060C

VIT4060C

For use in high frequency converters, switching power

supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC

converters, and reverse battery protection.

PIN 1

PIN 2

CASE

PIN 3

MECHANICAL DATA

Case: TO-220AB and TO-262AA

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS-compliant, and commercial grade

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

2 x 20 A

60 V

V_RRM

I_FSM

240 A

0.48 V

150 °C

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

V_Fat I_F= 20 A

T_Jmax.

Polarity: As marked

Package

TO-220AB, TO-262AA

Common cathode

Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

Diode variation

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

VT4060C

VIT4060C

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

per device

per diode

Maximum average forward rectified current

(fig. 1)

I_F(AV)

I_FSM

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

240

Voltage rate of change (rated V_R)

dV/dt

10 000

V/μs

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

-40 to +150

Revision: 15-Dec-16

Document Number: 89381

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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VT4060C-E3-4W	VISHAY	获取价格	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VT4060CHM3/4W	VISHAY	获取价格	DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VT4060C-M3/4W	VISHAY	获取价格	DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VT40L45PW	VISHAY	获取价格	Trench MOS Schottky technology
VT42B113	ETC	获取价格
VT42B193	ETC	获取价格
VT42B232	ETC	获取价格
VT42B282	ETC	获取价格
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VT42B482	ETC	获取价格

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