5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5 |
| 针数： | 5 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.23 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | 最大直流栅极触发电流： | 200 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 2 V | 快速连接描述： | G-GR |
| 螺丝端子的描述： | A-K-AK | 最大维持电流： | 500 mA |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X5 | 最大漏电流： | 50 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 4500 A | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 5 | 最大通态电流： | 170000 A |
| 最高工作温度： | 130 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 377 A |
| 断态重复峰值电压： | 1600 V | 重复峰值反向电压： | 1600 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Nickel (Ni) | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VSKL230-08 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 230000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Ele |
|
| VSKL230-12 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 230000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 E |
|
| VSKL230-12PBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 230000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 E |
|
| VSKL230-16PBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 230000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 E |
|
| VSKL230-18 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 230000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 2 E |
|
| VSKL230-18PBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 230000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 2 E |
|
| VSKL230-20 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 230000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 2 E |
|
| VSKL250-04PBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 555A I(T)RMS, 250000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 2 Ele |
|
| VSKL250-08PBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 555A I(T)RMS, 250000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Ele |
|
| VSKL250-10PBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 555A I(T)RMS, 250000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 E |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
