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VSKL230-16PBF

更新时间： 2024-11-08 20:43:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网栅栅极
页数 文件大小 规格书
8页 341K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 230000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element, ROHS COMPLIANT, MAGN-A-PAK-5

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VSKL230-16PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5
针数：5Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.23
外壳连接：ISOLATED配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大直流栅极触发电流：200 mA最大直流栅极触发电压：5 V
快速连接描述：G-GR螺丝端子的描述：A-K-AK
最大维持电流：500 mAJESD-30 代码：R-PUFM-X5
最大漏电流：50 mA通态非重复峰值电流：7850 A
元件数量：2端子数量：5
最大通态电流：230000 A最高工作温度：130 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：510 A断态重复峰值电压：1600 V
重复峰值反向电压：1600 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Nickel (Ni)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

VSKL230-16PBF 数据手册

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VSK.230..PbF Series  
Vishay Semiconductors  
SCR/SCR and SCR/Diode  
(MAGN-A-PAK Power Modules), 230 A  
FEATURES  
• High voltage  
• Electrically isolated base plate  
• 3500 VRMS isolating voltage  
• Industrial standard package  
• Simplified mechanical designs, rapid assembly  
• High surge capability  
• Large creepage distances  
• UL approved file E78996  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
• Designed and qualified for industrial level  
MAGN-A-PAK  
DESCRIPTION  
This new VSK series of MAGN-A-PAK modules uses high  
voltage power thyristor/thyristor and thyristor/diode in  
seven basic configurations. The semiconductors are  
electrically isolated from the metal base, allowing common  
heatsinks and compact assemblies to be built. They can be  
interconnected to form single phase or three phase bridges  
or as AC-switches when modules are connected in  
anti-parallel mode. These modules are intended for general  
purpose applications such as battery chargers, welders,  
motor drives, UPS, etc.  
PRODUCT SUMMARY  
IT(AV)  
230 A  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
230  
UNITS  
IT(AV)  
85 °C  
IT(RMS)  
510  
A
50 Hz  
60 Hz  
50 Hz  
60 Hz  
7500  
ITSM  
7850  
280  
I2t  
kA2s  
260  
I2√t  
280  
kA2√s  
V
V
DRM/VRRM  
Up to 2000  
- 40 to 130  
TJ  
Range  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
VOLTAGE RATINGS  
VRRM/VDRM, MAXIMUM REPETITIVE  
PEAK REVERSE AND OFF-STATE  
VRSM, MAXIMUM  
NON-REPETITIVE PEAK  
IRRM/IDRM  
AT 130 °C  
VOLTAGE  
CODE  
TYPE NUMBER  
BLOCKING VOLTAGE  
V
REVERSE VOLTAGE  
V
MAXIMUM  
mA  
08  
12  
16  
18  
20  
800  
900  
1200  
1600  
1800  
2000  
1300  
1700  
1900  
2100  
VSK.230-  
50  
Document Number: 93053  
Revision: 02-Jul-10  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VSKL230-18 VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 230000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 2 E
VSKL230-18PBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 230000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 2 E
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VSKL250-14PBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 555A I(T)RMS, 250000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 2 E
VSKL250-16 VISHAY

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 555A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element, ROHS CO
VSKL250-18 VISHAY

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 555A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 2 Element, ROHS CO
VSKL250-20 VISHAY

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 555A I(T)RMS, 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 2 Element, ROHS CO

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