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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.51 | 其他特性： | LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.65 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 75 A | 元件数量： | 4 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -50 °C |
| 最大输出电流： | 0.75 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 20 V | 子类别： | Bridge Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VSB53S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 0.75A, 30V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4 |
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| VSB54S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 0.75A, 40V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4 |
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| VSB-5MB | FUJITSU |
获取价格 |
1 POLE-16 A (HEAVY POWER CONTROL) VSB SERIES |
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| VSB-5MC | FUJITSU |
获取价格 |
1 POLE-16 A (HEAVY POWER CONTROL) VSB SERIES |
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| VSB-5SMB | FUJITSU |
获取价格 |
1 POLE-16 A (HEAVY POWER CONTROL) VSB SERIES |
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| VSB-5SMC | FUJITSU |
获取价格 |
1 POLE-16 A (HEAVY POWER CONTROL) VSB SERIES |
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| VSB-5STB | FUJITSU |
获取价格 |
1 POLE-16 A (HEAVY POWER CONTROL) VSB SERIES |
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| VSB-5STC | FUJITSU |
获取价格 |
1 POLE-16 A (HEAVY POWER CONTROL) VSB SERIES |
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| VSB-5TB | FUJITSU |
获取价格 |
1 POLE-16 A (HEAVY POWER CONTROL) VSB SERIES |
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| VSB-5TC | FUJITSU |
获取价格 |
1 POLE-16 A (HEAVY POWER CONTROL) VSB SERIES |
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