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VSB53S

更新时间: 2024-09-21 20:41:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 62K
描述
Bridge Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 0.75A, 30V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4

VSB53S 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.51
其他特性:LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.65 VJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:75 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-50 °C最大输出电流:0.75 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:30 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

VSB53S 数据手册

 浏览型号VSB53S的Datasheet PDF文件第2页 

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