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VS-MURD620CT-M3

更新时间： 2024-11-23 15:57:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 超快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
8页 144K
描述
DIODE 6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DPAK-3, Rectifier Diode

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VS-MURD620CT-M3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-252AA
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：0.94
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT应用：ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.96 VJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.035 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

VS-MURD620CT-M3 数据手册

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VS-MURD620CT-M3  
Vishay Semiconductors  
Ultrafast Rectifier, 2 x 3 A FRED Pt®  
FEATURES  
Base  
common  
cathode  
• Ultrafast recovery time  
4
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
• 175 °C operating junction temperature  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
2
Common  
cathode  
D-PAK (TO-252AA)  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21  
definition  
1
3
Anode  
Anode  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
DESCRIPTION/APPLICATIONS  
PRODUCT SUMMARY  
VS-MURD620CT-M3 is the state of the art ultrafast recovery  
rectifier specifically designed with optimized performance of  
forward voltage drop and ultrafast recovery time.  
The planar structure and the platinum doped life time  
control, guarantee the best overall performance,  
ruggedness and reliability characteristics.  
Package  
D-PAK (TO-252AA)  
2 x 3 A  
IF(AV)  
VR  
200 V  
VF at IF  
1.0 V  
These devices are intended for use in the output rectification  
stage of SMPS, UPS, DC/DC converters as well as  
freewheeling diode in low voltage inverters and chopper  
motor drives.  
t
rr typ.  
See Recovery table  
175 °C  
TJ max.  
Diode variation  
Common cathode  
Their extremely optimized stored charge and low recovery  
current minimize the switching losses and reduce over  
dissipation in the switching element and snubbers.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
IF(AV)  
TEST CONDITIONS  
MAX.  
UNITS  
Peak repetitive reverse voltage  
200  
V
Average rectified forward current per device  
Non-repetitive peak surge current  
Peak repetitive forward current per diode  
Operating junction and storage temperatures  
Total device, rated VR, TC = 146 °C  
Rated VR, square wave, 20 kHz, TC = 146 °C  
6
IFSM  
50  
6
A
IFM  
TJ, TStg  
- 65 to 175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
IF = 3 A  
200  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0  
0.96  
1.2  
1.13  
5
V
IF = 3 A, TJ = 125 °C  
IF = 6 A  
Forward voltage  
VF  
-
IF = 6 A, TJ = 125 °C  
VR = VR rated  
-
-
Reverse leakage current  
IR  
μA  
TJ = 125 °C, VR = VR rated  
VR = 200 V  
-
250  
-
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
12  
8.0  
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
-
Document Number: 93497  
Revision: 31-Mar-11  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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VS-MURD620CT-M3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
VS-MURD620CTTR-M3 VISHAY

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