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VS-6TQ045SPBF

更新时间： 2024-01-31 20:29:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY PC二极管
页数 文件大小 规格书
7页 169K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6A, 45V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, D2PAK-3

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VS-6TQ045SPBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-263
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.32Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：839419
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Schottky Diode
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：Vishay_D2PAK
Samacsys Released Date：2018-12-13 03:02:18Is Samacsys：N
其他特性：FREEWHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.53 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：690 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：6 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

VS-6TQ045SPBF 数据手册

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VS-6TQ035SPbF, VS-6TQ040SPbF, VS-6TQ045SPbF  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 6 A  
FEATURES  
Base  
cathode  
2
TO-263AB (D2PAK)  
• 175 °C TJ operation  
• High frequency operation  
• Low forward voltage drop  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
3
1
N/C  
Anode  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
PRODUCT SUMMARY  
• AEC-Q101 qualified  
Package  
TO-263AB (D2PAK)  
6 A  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
IF(AV)  
VR  
35 V, 40 V, 45 V  
0.53 V  
VF at IF  
IRM  
DESCRIPTION  
7 mA at 125 °C  
175 °C  
The VS-6TQ... Schottky rectifier series has been optimized  
for low reverse leakage at high temperature. The proprietary  
barrier technology allows for reliable operation up to 175 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Single die  
8 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
6
UNITS  
Rectangular waveform  
Range  
A
V
35 to 45  
690  
tp = 5 μs sine  
6 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
A
VF  
0.53  
V
TJ  
-55 to +175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
VS-6TQ035SPbF  
35  
VS-6TQ040SPbF  
VS-6TQ045SPbF  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
40  
45  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES UNITS  
Maximum average forward current  
See fig. 5  
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 164 °C, rectangular waveform  
6
A
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
690  
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
See fig. 7  
Following any rated load  
condition and with rated  
IFSM  
VRRM applied  
140  
8
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 1.20 A, L = 11.10 mH  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
1.20  
Revision: 08-Dec-14  
Document Number: 94253  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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