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VS-6EWX06FNTR-M3

更新时间： 2024-02-21 08:53:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 快速软恢复高电源软恢复二极管超快速软恢复二极管超快速软恢复高功率电源
页数 文件大小 规格书
7页 161K
描述
Hyperfast Rectifier, 6 A FRED Pt

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VS-6EWX06FNTR-M3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-252AA
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.37
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY HIGH POWER
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.9 VJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.021 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-6EWX06FNTR-M3 数据手册

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VS-6EWX06FN-M3  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
30  
25  
20  
15  
10  
140  
120  
100  
80  
IF = 6 A, TJ = 125 °C  
IF = 6 A, TJ = 125 °C  
60  
IF = 6 A, TJ = 25 °C  
40  
IF = 6 A, TJ = 25 °C  
20  
0
100  
100  
1000  
1000  
dIF/dt (A/μs)  
dIF/dt (A/μs)  
Fig. 8 - Typical Stored Charge vs. dIF/dt  
Fig. 7 - Typical Reverse Recovery Time vs. dIF/dt  
Note  
(1)  
Formula used: TC = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC;  
Pd = forward power loss = IF(AV) x VFM at (IF(AV)/D) (see fig. 6);  
PdREV = inverse power loss = VR1 x IR (1 - D); IR at VR1 = rated VR  
VR = 200 V  
0.01 Ω  
L = 70 μH  
D.U.T.  
D
dIF/dt  
adjust  
IRFP250  
G
S
Fig. 9 - Reverse Recovery Parameter Test Circuit  
(3)  
trr  
IF  
ta  
tb  
0
(4)  
Qrr  
(2)  
IRRM  
0.5 IRRM  
(5)  
dI(rec)M/dt  
0.75 IRRM  
dIF/dt  
(1)  
(4) Qrr - area under curve defined by trr  
(1) dIF/dt - rate of change of current  
and IRRM  
through zero crossing  
trr x IRRM  
(2) IRRM - peak reverse recovery current  
Qrr  
=
2
(3) trr - reverse recovery time measured  
from zero crossing point of negative  
going IF to point where a line passing  
through 0.75 IRRM and 0.50 IRRM  
extrapolated to zero current.  
(5) dI(rec)M/dt - peak rate of change of  
current during tb portion of trr  
Fig. 10 - Reverse Recovery Waveform and Definitions  
Revision: 05-Oct-16  
Document Number: 93249  
4
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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