5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-MUPM-D1 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.71 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V | JEDEC-95代码： | DO-203AA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 167 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 6 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大重复峰值反向电压： | 1200 V |
| 最大反向电流： | 12000 µA | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VS-6F120M | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
|
| VS-6F20 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
|
| VS-6F20M | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
|
| VS-6F40 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 400V 6A DO203AA |
|
| VS-6F40M | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
|
| VS-6F60M | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
|
| VS-6F80 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
|
| VS-6FL100S05 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 1KV 6A DO203AA |
|
| VS-6FL20S02 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 200V 6A DO203AA |
|
| VS-6FL40S02 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 400V 6A DO203AA |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
