5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > VS-6EWX06FNTR-M3
VS-6EWX06FNTR-M3 PDF预览

VS-6EWX06FNTR-M3

更新时间： 2024-02-10 01:23:37
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 快速软恢复高电源软恢复二极管超快速软恢复二极管超快速软恢复高功率电源
页数 文件大小 规格书
7页 161K
描述
Hyperfast Rectifier, 6 A FRED Pt

阅读下载

获取价格

VS-6EWX06FNTR-M3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-252AA
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.37
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY HIGH POWER
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.9 VJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.021 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-6EWX06FNTR-M3 数据手册

 浏览型号VS-6EWX06FNTR-M3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号VS-6EWX06FNTR-M3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号VS-6EWX06FNTR-M3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号VS-6EWX06FNTR-M3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号VS-6EWX06FNTR-M3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号VS-6EWX06FNTR-M3的Datasheet PDF文件第7页 
VS-6EWX06FN-M3  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
DYNAMIC RECOVERY CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
IF = 1 A, dIF/dt = 100 A/μs, VR = 30 V  
IF = 1 A, dIF/dt = 50 A/μs, VR = 30 V  
TJ = 25 °C  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
-
-
-
-
-
-
-
-
14  
21  
-
16  
Reverse recovery time  
trr  
ns  
19  
-
TJ = 125 °C  
27  
-
IF = 6 A  
TJ = 25 °C  
TJ = 125 °C  
TJ = 25 °C  
TJ = 125 °C  
3.0  
4.0  
28  
-
Peak recovery current  
IRRM  
dIF/dt = 200 A/μs  
A
-
VR = 390 V  
-
Reverse recovery charge  
Qrr  
nC  
57  
-
THERMAL - MECHANICAL SPECIFICATIONS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Maximum junction and storage  
temperature range  
TJ, TStg  
-65  
-
175  
°C  
Thermal resistance,  
junction to case per leg  
RthJC  
-
-
3
°C/W  
0.3  
g
Approximate weight  
Marking device  
0.01  
oz.  
Case style TO-252AA (D-PAK)  
6EWX06FN  
100  
1000  
100  
10  
TJ = 175 °C  
TJ = 175 °C  
TJ = 150 °C  
10  
TJ = 125 °C  
TJ = 100 °C  
1
TJ = 125 °C  
TJ = 75 °C  
TJ = 50 °C  
1
0.1  
0.01  
TJ = 25 °C  
TJ = 25 °C  
0.1  
0.001  
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5  
0
100  
200  
300  
400  
500  
600  
VF - Forward Voltage Drop (V)  
VR - Reverse Voltage (V)  
Fig. 1 - Typical Forward Voltage Drop Characteristics  
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current vs.  
Reverse Voltage  
Revision: 05-Oct-16  
Document Number: 93249  
2
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

下载PDF

与VS-6EWX06FNTR-M3相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
VS-6EWX06FNTRRHM3 VISHAY Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon, TO-252AA, DPAK-3/2

获取价格
VS-6EWX06FNTRR-M3 VISHAY Hyperfast Rectifier, 6 A FRED Pt

获取价格
VS-6F10 VISHAY Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

获取价格
VS-6F100 VISHAY Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

获取价格
VS-6F100M VISHAY Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

获取价格
VS-6F10M VISHAY Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

获取价格

与VS-6EWX06FNTR-M3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证