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VS-32CTQ030SPBF

更新时间： 2024-11-09 15:57:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
6页 113K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 30V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3

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VS-32CTQ030SPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-263
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.23其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：HIGH POWER外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.4 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：900 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：30 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

VS-32CTQ030SPBF 数据手册

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32CTQ...S/32CTQ...-1  
Vishay High Power Products  
Schottky Rectifier, 2 x 15 A  
FEATURES  
32CTQ...-1  
32CTQ...S  
• 150 °C TJ operation  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• High purity, high temperature epoxy encapsulation for  
enhanced mechanical strength and moisture resistance  
Base  
common  
cathode  
Base  
common  
cathode  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
2
2
• Designed and qualified for Q101 level  
DESCRIPTION  
2
2
1
1
3
3
Common  
cathode  
Common  
cathode  
The 32CTQ... Schottky rectifier series has been optimized  
for low reverse leakage at high temperature. The proprietary  
barrier technology allows for reliable operation up to 150 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
D2PAK  
TO-262  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
2 x 15 A  
25/30 V  
VR  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
30  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
25/30  
900  
tp = 5 µs sine  
15 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
A
VF  
0.40  
V
TJ  
- 55 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
32CTQ025S  
32CTQ025-1  
32CTQ030S  
32CTQ030-1  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
25  
30  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
50 % duty cycle at TC = 115 °C, rectangular waveform  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
See fig. 5  
IF(AV)  
30  
A
Maximum peak one cycle non-repetitive  
surge current  
See fig. 7  
Following any rated load  
condition and with rated  
VRRM applied  
5 µs sine or 3 µs rect. pulse  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
900  
IFSM  
250  
13  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 1.20 A, L = 11.10 mH  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 µs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
3
Document Number: 93961  
Revision: 21-Aug-08  
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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VS-32CTQ030SPBF 替代型号

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