是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | DO-4, 1 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 2.28 |
应用: | GENERAL PURPOSE | 外壳连接: | ANODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.26 V |
JEDEC-95代码: | DO-203AA | JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 |
JESD-609代码: | e3 | 最大非重复峰值正向电流: | 280 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 1 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 12 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大重复峰值反向电压: | 1200 V | 最大反向电流: | 12000 µA |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
VS-12FR120M | VISHAY |
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Rectifier Diode, | |
VS-12FR20 | VISHAY |
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Rectifier Diode, | |
VS-12FR20M | VISHAY |
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Rectifier Diode, | |
VS-12FR40M | VISHAY |
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Rectifier Diode, | |
VS-12FR60M | VISHAY |
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Rectifier Diode, | |
VS-12FR80M | VISHAY |
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Rectifier Diode, | |
VS12G422ED03 | MICROSEMI |
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Memory IC, | |
VS12G422EDM03 | MICROSEMI |
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Memory IC, | |
VS12G422EL03 | MICROSEMI |
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Memory IC, | |
VS12G422TD10 | MICROSEMI |
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Memory IC, |