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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | DO-4, 1 PIN | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.26 V |
| JEDEC-95代码： | DO-203AA | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 280 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 12 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 最大反向电流： | 12000 µA |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VS-12FR40M | VISHAY |
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Rectifier Diode, |
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| VS-12FR60M | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
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| VS-12FR80M | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
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| VS12G422ED03 | MICROSEMI |
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Memory IC, |
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| VS12G422EDM03 | MICROSEMI |
获取价格 |
Memory IC, |
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| VS12G422EL03 | MICROSEMI |
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Memory IC, |
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| VS12G422TD10 | MICROSEMI |
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Memory IC, |
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| VS12G422TDC-4 | ETC |
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x4 SRAM |
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| VS12G422TDC-5 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| VS12G422TDC-6 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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