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VP1306N3P003

更新时间： 2024-10-29 15:57:35

品牌	Logo	应用领域
超科 - SUPERTEX		输入元件开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	54K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, TO-92, 3 PIN

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VP1306N3P003 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	其他特性：	HIGH INPUT IMPEDANCE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.15 A	最大漏源导通电阻：	25 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	5 pF
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	P-CHANNEL
功耗环境最大值：	1 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

VP1306N3P003 数据手册

VP1304

VP1306

VP1310

P-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FETs

Ordering Information

Order Number / Package

BV_DSS

R_DS(ON)

(max)

I_D(ON)

(min)

BV_DGS

TO-92

-40V

-60V

25Ω

-0.25A

VP1304N3

VP1306N3

VP1310N3

-100V

Features

Advanced DMOS Technology

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a

vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate

manufacturing process. This combination produces devices with

the power handling capabilities of bipolar transistors and with the

high input impedance and positive temperature coefficient inher-

ent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these

devices are free from thermal runaway and thermally-induced

secondary breakdown.

Low C_ISSand fast switching speeds

Excellent thermal stability

Integral Source-Drain diode

High input impedance and high gain

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range

of switching and amplifying applications where high breakdown

voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast

switching speeds are desired.

Complementary N- and P-channel devices

Applications

Package Options

Motor controls

Converters

Amplifiers

Switches

Power supply circuits

Drivers (relays, hammers, solenoids, lamps,

memories, displays, bipolar transistors, etc.)

S G D

Absolute Maximum Ratings

Drain-to-Source Voltage

Drain-to-Gate Voltage

Gate-to-Source Voltage

TO-92

BV_DSS

BV_DGS

± 20V

Operating and Storage Temperature

Soldering Temperature*

-55°C to +150°C

300°C

Note: See Package Outline section for dimensions.

* Distance of 1.6 mm from case for 10 seconds.

7-251

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VP1306N3P004	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
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