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VP1310N3

更新时间： 2024-01-27 18:21:26

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4页	31K
描述
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

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VP1310N3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.91
其他特性：	HIGH INPUT IMPEDANCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	0.15 A
最大漏源导通电阻：	25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	5 pF	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	功耗环境最大值：	1 W
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

VP1310N3 数据手册

VP1304

VP1306

VP1310

P-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FETs

Ordering Information

Order Number / Package

BV_DSS

R_DS(ON)

(max)

I_D(ON)

(min)

BV_DGS

TO-92

-40V

-60V

25Ω

-0.25A

VP1304N3

VP1306N3

VP1310N3

-100V

Features

Advanced DMOS Technology

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a

vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate

manufacturing process. This combination produces devices with

the power handling capabilities of bipolar transistors and with the

high input impedance and positive temperature coefficient inher-

ent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these

devices are free from thermal runaway and thermally-induced

secondary breakdown.

Low C_ISSand fast switching speeds

Excellent thermal stability

Integral Source-Drain diode

High input impedance and high gain

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range

of switching and amplifying applications where high breakdown

voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast

switching speeds are desired.

Complementary N- and P-channel devices

Applications

Package Options

Motor controls

Converters

Amplifiers

Switches

Power supply circuits

Drivers (relays, hammers, solenoids, lamps,

memories, displays, bipolar transistors, etc.)

S G D

Absolute Maximum Ratings

Drain-to-Source Voltage

TO-92

BV_DSS

BV_DGS

± 20V

Drain-to-Gate Voltage

Gate-to-Source Voltage

Operating and Storage Temperature

Soldering Temperature*

-55°C to +150°C

300°C

Note: See Package Outline section for dimensions.

* Distance of 1.6 mm from case for 10 seconds.

7-251

12 3 4

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与VP1310N3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
VP1310N3P002	SUPERTEX	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met	获取价格
VP1310N3P003	SUPERTEX	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met	获取价格
VP1310N3P004	SUPERTEX	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met	获取价格
VP1310N3P007	SUPERTEX	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met	获取价格
VP1310N3P008	SUPERTEX	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met	获取价格
VP1310N3P011	SUPERTEX	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met	获取价格

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