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VIT2080S-E3/4W

更新时间： 2024-10-14 08:20:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 148K
描述
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VIT2080S-E3/4W 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-262AA
包装说明：R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.72
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.78 VJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：80 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VIT2080S-E3/4W 数据手册

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New Product  
VT2080S, VFT2080S, VBT2080S, VIT2080S  
Vishay General Semiconductor  
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A  
FEATURES  
• Trench MOS Schottky technology  
TMBS®  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per  
JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and  
TO-262AA package)  
3
3
2
2
1
1
VT2080S  
VFT2080S  
TO-262AA  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
CASE  
PIN 2  
TO-263AB  
TYPICAL APPLICATIONS  
K
K
For use in high frequency converters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc  
converters and reverse battery protection.  
A
3
NC  
VBT2080S  
2
1
VIT2080S  
MECHANICAL DATA  
NC  
A
K
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
K
Case:  
TO-220AB,  
ITO-220AB,  
TO-263AB  
and  
HEATSINK  
TO-262AA  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
20 A  
80 V  
150 A  
Polarity: As marked  
VF at IF = 20 A  
TJ max.  
0.70 V  
150 °C  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL VT2080S VFT2080S VBT2080S VIT2080S UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
VRRM  
IF(AV)  
80  
20  
V
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load per diode  
IFSM  
EAS  
150  
160  
1.0  
A
mJ  
A
Non-repetitive avalanche energy at TJ = 25 °C, L = 60 mH  
Peak repetitive reverse current at tp = 2 µs, 1 kHz,  
TJ = 38 °C 2 °C  
IRRM  
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
VAC  
1500  
V
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
°C  
Document Number: 89167  
Revision: 08-Sep-09  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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与VIT2080S-E3/4W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VIT2080SHM3/4W VISHAY

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 		DIODE 20 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
VIT2080SHM3-4W VISHAY

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 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VIT2080S-M3/4W VISHAY

获取价格

 		DIODE 20 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
VIT2080S-M3-4W VISHAY

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 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VIT270H3U600C002 VICOR

获取价格

 		符合 VITA 62 标准的电源转换器
VIT3045C VISHAY

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 		Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VIT3045CBP VISHAY

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 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection Ultra Low VF = 0
VIT3045CBP-M3/4W VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, TO-262AA,
VIT3045CHM3 VISHAY

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 		Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VIT3045C-M3 VISHAY

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 		Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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