是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.38 | 其他特性: | LOW NOISE |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 50 V |
FET 技术: | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss): | 2 pF |
JEDEC-95代码: | TO-18 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | MATTE TIN (315) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N4341G | VISHAY | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206A |
获取价格 |
|
2N4341LEADFREE | CENTRAL | Small Signal Field-Effect Transistor, 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO |
获取价格 |
|
2N4342 | NJSEMI | LOW NOISE VOLTAGE |
获取价格 |
|
2N4343 | NJSEMI | LOW NOISE VOLTAGE |
获取价格 |
|
2N4346 | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 120V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
获取价格 |
|
2N4347 | COMSET | HIGH POWER INDUSTRIAL TRANSISTORS |
获取价格 |